Drukuj stronę
IM828XCCXKMA1
Inteligentny moduł zasilania (IPM), MOSFET, 1.2 kV, 35 A, 2.5 kV, DIP, DIPIPM
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIM828XCCXKMA1
Nr katalogowy Farnell3625307
Asortyment produktówCIPOS Maxi
Inna nazwaIM828-XCC, SP002441386
Karta katalogowa
113 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 348,360 zł |
| 5+ | 314,220 zł |
| 10+ | 280,040 zł |
| 50+ | 274,430 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
348,36 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIM828XCCXKMA1
Nr katalogowy Farnell3625307
Asortyment produktówCIPOS Maxi
Inna nazwaIM828-XCC, SP002441386
Karta katalogowa
Urządzenie zasilające IPMMOSFET
Napięcie znamionowe (Vces / Vdss)1.2kV
Prąd znamionowy (Ic / Id)35A
Napięcie izolacji2.5kV
Rodzaj obudowy IPMDIP
Seria IPMDIPIPM
Asortyment produktówCIPOS Maxi
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
IM828XCCXKMA1 is a CIPOS™ Maxi 1200V, 55 mohm three-phase CoolSiC™ MOSFET based intelligent power module with open emitter in DIP 36x23D package providing fully-featured compact inverter solution with excellent thermal conduction for industrial applications including industrial drives, HVAC, active filters, motor controls and etc.
- Based on 1200V CoolSiC™ MOSFETs
- Motor power rating up to 4.8KW at 10KHz
- Rugged 1200V SOI gate driver technology with stability against transient
- Over current shutdown
- Under-voltage lockout at all channels
- All of 6 switches turn off during protection
- Cross-conduction prevention
- Built-in NTC thermistor for temperature monitor
- Programmable fault clear timing and enable input
- UL-certified
Specyfikacje techniczne
Urządzenie zasilające IPM
MOSFET
Prąd znamionowy (Ic / Id)
35A
Rodzaj obudowy IPM
DIP
Asortyment produktów
CIPOS Maxi
Napięcie znamionowe (Vces / Vdss)
1.2kV
Napięcie izolacji
2.5kV
Seria IPM
DIPIPM
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002
Śledzenie produktu