Drukuj stronę
IMBG40R015M2HXTMA1
MOSFET - węglik krzemu, pojedyncze, Kanał typu N, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIMBG40R015M2HXTMA1
Nr katalogowy Farnell4538819
Asortyment produktówCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Inna nazwaIMBG40R015M2H, SP006064660
Karta katalogowa
965 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 47,560 zł |
| 5+ | 44,180 zł |
| 10+ | 40,810 zł |
| 50+ | 40,770 zł |
| 100+ | 34,770 zł |
| 250+ | 34,100 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
47,56 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIMBG40R015M2HXTMA1
Nr katalogowy Farnell4538819
Asortyment produktówCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Inna nazwaIMBG40R015M2H, SP006064660
Karta katalogowa
Konfiguracja MOSFETpojedyncze
Typ kanałuKanał typu N
Prąd ciągły Id drenu111A
Napięcie drenu / źródła Vds400V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0191ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263
Liczba pinów7Pins
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)18V
Napięcie progowe Vgs5.6V
Rozproszenie mocy341W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
IMBG40R015M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 15mohm RDS(on), 111A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja MOSFET
pojedyncze
Prąd ciągły Id drenu
111A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0191ohm
Liczba pinów
7Pins
Napięcie progowe Vgs
5.6V
Temperatura robocza, maks.
175°C
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds
400V
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
18V
Rozproszenie mocy
341W
Asortyment produktów
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu