Drukuj stronę
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
14 994 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 4,850 zł |
| 10+ | 4,000 zł |
| 100+ | 3,500 zł |
| 500+ | 3,100 zł |
| 1000+ | 3,080 zł |
| 5000+ | 2,730 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
4,85 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPD082N10N3GATMA1
Nr katalogowy Farnell2709872
Asortyment produktówOptiMOS 3
Inna nazwaIPD082N10N3 G, SP001127824
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Prąd ciągły Id drenu80A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0082ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2.7V
Rozproszenie mocy125W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówOptiMOS 3
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
- OptiMOS™3 power transistor
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on)
- Qualified according to JEDEC for target application
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
80A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
125W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0082ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2.7V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
OptiMOS 3
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze IPD082N10N3GATMA1
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0003
Śledzenie produktu