Drukuj stronę
IPD70P04P4L08ATMA2
MOSFET mocy, Kanał typu P, 40 V, 70 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPD70P04P4L08ATMA2
Nr katalogowy Farnell4319309
Asortyment produktówOptiMOS-P2 Series
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 14 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 2500+ | 2,150 zł |
| 7500+ | 2,070 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na pełnej rolce)
Minimum: 2500
Wiele: 2500
5 375,00 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPD70P04P4L08ATMA2
Nr katalogowy Farnell4319309
Asortyment produktówOptiMOS-P2 Series
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu70A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0064ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.7V
Rozproszenie mocy75W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówOptiMOS-P2 Series
KwalifikacjaAEC-Q101
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
70A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
75W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0064ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.7V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
OptiMOS-P2 Series
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000508
Śledzenie produktu