IRFR5410TRPBF
MOSFET mocy, Kanał typu P, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, montaż powierzchniowy
Potrzebujesz więcej?
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 5,990 zł |
| 10+ | 4,180 zł |
| 100+ | 3,050 zł |
| 500+ | 2,410 zł |
| 1000+ | 2,200 zł |
| 5000+ | 1,880 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
The IRFR5410TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Kanał typu P
13A
TO-252AA
10V
66W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.205ohm
montaż powierzchniowy
4V
3Pins
-
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze IRFR5410TRPBF
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu