Drukuj stronę
IRL7486MTRPBF
MOSFET mocy, Kanał typu N, 40 V, 209 A, 0.00125 ohm, DirectFET ME, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRL7486MTRPBF
Nr katalogowy Farnell2577179RL
Asortyment produktówStrongIRFET Series
Inna nazwaSP001567046
Karta katalogowa
18 717 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 3,380 zł |
| 500+ | 2,990 zł |
| 1000+ | 2,940 zł |
| 5000+ | 2,770 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
358,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRL7486MTRPBF
Nr katalogowy Farnell2577179RL
Asortyment produktówStrongIRFET Series
Inna nazwaSP001567046
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu209A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.00125ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraDirectFET ME
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2.5V
Rozproszenie mocy104W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówStrongIRFET Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 2 - 1 rok
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
IRL7486MTRPBF is a N channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 1.0mohm (typ, VGS = 10V, ID = 123A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V (silicon limited) is 209A (max, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.97ohm (typ, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 427S (TJ = 25°C, VDS = 10V, ID = 123A, typ)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt przyczynilo sie do wydluzenia czasu realizacji zamowien. Daty dostaw moga ulec zmianie. Produkt nie jest objety rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
209A
Rodzaj obudowy tranzystora
DirectFET ME
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
104W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.00125ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2.5V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
StrongIRFET Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 2 - 1 rok
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001
Śledzenie produktu