Drukuj stronę
ISC015N04NM5ATMA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 40 V, 206 A, 0.0012 ohm, TDSON, montaż powierzchniowy
8 658 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 3,290 zł |
| 500+ | 2,400 zł |
| 1000+ | 2,030 zł |
| 5000+ | 1,890 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
349,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaISC015N04NM5ATMA1
Nr katalogowy Farnell3577367RL
Asortyment produktówOptiMOS 5
Inna nazwaISC015N04NM5, SP005352240
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraKanał N
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu206A
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.0012ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0012ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTDSON
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3.4V
Rozpraszanie mocy Pd115W
Rozproszenie mocy115W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówOptiMOS 5
Kwalifikacja-
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.0012ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TDSON
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozpraszanie mocy Pd
115W
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
OptiMOS 5
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
206A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0012ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3.4V
Rozproszenie mocy
115W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000121
Śledzenie produktu