Drukuj stronę
PVD1352NSPBF
Przekaźnik MOSFET, SPST-NO (1 Form A), DC, 100 V, 550 mA, DIP-8 (wersja 4-pinowa)
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaPVD1352NSPBF
Nr katalogowy Farnell2803436
Asortyment produktówHEXFET PVD13
Inna nazwaPVD1352NSPBF, SP001546816
Karta katalogowa
243 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 21,020 zł |
| 5+ | 20,470 zł |
| 10+ | 19,880 zł |
| 50+ | 19,330 zł |
| 100+ | 18,950 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
21,02 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaPVD1352NSPBF
Nr katalogowy Farnell2803436
Asortyment produktówHEXFET PVD13
Inna nazwaPVD1352NSPBF, SP001546816
Karta katalogowa
Rodzaj stykuSPST-NO (1 Form A)
Konfiguracja stykówSPST-NO
Rodzaj obciążeniaDC
Napięcie obciążenia, maks.100V
Prąd obciążeniowy550mA
Rodzaj obudowy przekaźnika MOSFETDIP-8 (wersja 4-pinowa)
Montowanie przekaźnikamontaż powierzchniowy
Prąd przewodzenia If25mA
Zakończenia przekaźnikagull wing
Rezystancja w stanie włączenia, maks.1.5ohm
Napięcie izolacji4kV
Rodzaj pojemności I/O1pF
Maksymalny prąd upływu - tryb wyłączony-
Asortyment produktówHEXFET PVD13
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Rodzaj styku
SPST-NO (1 Form A)
Rodzaj obciążenia
DC
Prąd obciążeniowy
550mA
Montowanie przekaźnika
montaż powierzchniowy
Zakończenia przekaźnika
gull wing
Napięcie izolacji
4kV
Maksymalny prąd upływu - tryb wyłączony
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Konfiguracja styków
SPST-NO
Napięcie obciążenia, maks.
100V
Rodzaj obudowy przekaźnika MOSFET
DIP-8 (wersja 4-pinowa)
Prąd przewodzenia If
25mA
Rezystancja w stanie włączenia, maks.
1.5ohm
Rodzaj pojemności I/O
1pF
Asortyment produktów
HEXFET PVD13
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85364900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001