Drukuj stronę
S78HS512TC0BHB013
Pamięć flash, 512 Mbitów, HYPERBus, 200 MHz, FBGA, 24 piny
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaS78HS512TC0BHB013
Nr katalogowy Farnell4125866RL
Inna nazwaSP005723164, S78HS512TC0BHB013
Karta katalogowa
1 976 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 67,310 zł |
| 10+ | 62,330 zł |
| 25+ | 60,390 zł |
| 50+ | 54,180 zł |
| 100+ | 52,830 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
87,31 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaS78HS512TC0BHB013
Nr katalogowy Farnell4125866RL
Inna nazwaSP005723164, S78HS512TC0BHB013
Karta katalogowa
Typ pamięci flash-
Gęstość pamięci512Mbit
Rozmiar pamięci512Mbit
Konfiguracja pamięci Flash-
Konfiguracja pamięci-
Typ interfejsu układu ICHyperBus
InterfejsyHyperBus
Obudowa układu ICFBGA
Typ obudowy pamięci ICFBGA
Liczba pinów24Pins
Częstotliwość zegara200MHz
Maks. częstotliwość zegara200MHz
Czas dostępu-
Napięcie zasilania, min.1.7V
Napięcie zasilania, maks.2V
Napięcie zasilania, znamionowe-
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.105°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
- SEMPER™ flash and HYPERRAM™ 2.0 with HYPERBUS™ interface in multi-chip package (MCP)
- 1.8V, 512Mb SEMPER™ Flash and 64Mb HYPERRAM™ 2.0
- 512Mb SEMPER™ flash density, 45-nm MIRRORBIT™ Process technology SEMPER™ flash device technology
- 64Mb HYPERRAM™ density, 24-ball FBGA 8 x 8 x 1.2mm package type, low-halogen package material
- Automotive, AEC-Q100 grade 2, operating temperature range from -40°C to +105°C, 200MHz
- Chip select (CS#), 8-bit data bus (DQ[7:0]), data strobe (DS/RWDS)
- Bidirectional DS/mask, output at the start of all transactions to indicate refresh latency
- Output during read transactions as read DS, optional signals
- Busy to ready transition, RSTO# output to generate system level power-on-reset (POR)
- User configurable RSTO# LOW period, high-performance, DDR, two data transfers per clock
Specyfikacje techniczne
Typ pamięci flash
-
Rozmiar pamięci
512Mbit
Konfiguracja pamięci
-
Interfejsy
HyperBus
Typ obudowy pamięci IC
FBGA
Częstotliwość zegara
200MHz
Czas dostępu
-
Napięcie zasilania, maks.
2V
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
105°C
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Gęstość pamięci
512Mbit
Konfiguracja pamięci Flash
-
Typ interfejsu układu IC
HyperBus
Obudowa układu IC
FBGA
Liczba pinów
24Pins
Maks. częstotliwość zegara
200MHz
Napięcie zasilania, min.
1.7V
Napięcie zasilania, znamionowe
-
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423990
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001553
Śledzenie produktu