Drukuj stronę
SPB21N50C3ATMA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaSPB21N50C3ATMA1
Nr katalogowy Farnell2480878
Inna nazwaSPB21N50C3, SP000013833
Karta katalogowa
1 688 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 14,730 zł |
| 10+ | 10,420 zł |
| 100+ | 8,060 zł |
| 500+ | 7,640 zł |
| 1000+ | 6,290 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
14,73 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaSPB21N50C3ATMA1
Nr katalogowy Farnell2480878
Inna nazwaSPB21N50C3, SP000013833
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds500V
Prąd ciągły Id drenu21A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.16ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263 (D2PAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3V
Rozproszenie mocy208W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The SPB21N50C3 is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET comes with a new revolutionary high voltage technology. It offers ultra-low gate charge and ultra-low effective capacitances. The 500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the “working horse" of the portfolio.
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @ 400V
- Low gate charge (Qg)
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- High reliability
- Ease of use
- Periodic avalanche rated
- Extreme dV/dt rated
- Improved transconductance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Uwagi
Zamiennik dla 500V CoolMOS™ C3 to 500V CoolMOS™ CE.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
21A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263 (D2PAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
208W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
500V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.16ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SPB21N50C3ATMA1
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00143
Śledzenie produktu