Drukuj stronę
IS61WV102416BLL-10MLI
SRAM, Asynchroniczna pamięć SRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, Mini BGA, 48 piny/-ów, 2.4 V
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Nr części producentaIS61WV102416BLL-10MLI
Nr katalogowy Farnell2253840
Karta katalogowa
139 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 91,280 zł |
| 10+ | 84,530 zł |
| 25+ | 80,520 zł |
| 50+ | 80,480 zł |
| 100+ | 78,960 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
91,28 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Nr części producentaIS61WV102416BLL-10MLI
Nr katalogowy Farnell2253840
Karta katalogowa
Rodzaj pamięci SRAMAsynchroniczna pamięć SRAM
Gęstość pamięci16Mbit
Konfiguracja pamięci1M x 16bit
Obudowa układu ICMini BGA
Liczba pinów48Pins
Napięcie zasilania, min.2.4V
Napięcie zasilania, maks.3.6V
Napięcie zasilania, znamionowe3V
Maks. częstotliwość zegara-
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Specyfikacja
IS61WV102416BLL-10MLI is a 16Mbit high speed asynchronous CMOS static RAM organized as 1024K words by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices.
- Voltage range from 2.4V to 3.6V
- Speed = 8ns for VDD = 3.3V + 5%, speed = 10ns for Vdd = 2.4V - 3.6V
- Multiple centre power and ground pins for greater noise immunity
- Easy memory expansion with (active low) CE and (active low) OE options
- CE (active low) power-down
- Fully static operation: no clock or refresh required
- TTL compatible inputs and outputs
- Data control for upper and lower bytes
- 48 mini BGA (9mm x 11mm) package
- Industrial temperature range from -40°C to +85°C
Specyfikacje techniczne
Rodzaj pamięci SRAM
Asynchroniczna pamięć SRAM
Konfiguracja pamięci
1M x 16bit
Liczba pinów
48Pins
Napięcie zasilania, maks.
3.6V
Maks. częstotliwość zegara
-
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Gęstość pamięci
16Mbit
Obudowa układu IC
Mini BGA
Napięcie zasilania, min.
2.4V
Napięcie zasilania, znamionowe
3V
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
85°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000454