Drukuj stronę
2N6075BG
Triak, 600 V, 4 A, TO-225, 2.5 V, 30 A, 15 mA
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
3 083 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 6,030 zł |
| 10+ | 3,830 zł |
| 100+ | 2,550 zł |
| 500+ | 2,000 zł |
| 1000+ | 1,640 zł |
| 5000+ | 1,560 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
6,03 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentLITTELFUSE
Nr części producenta2N6075BG
Nr katalogowy Farnell9557229
Karta katalogowa
Szczytowe napięcie w stanie Off powtarz. Vdrm600V
Prąd RMS w stanie włączenia IT(rms)4A
Rodzaj obudowy triakaTO-225
Napięcie przełączające bramki Vgt, maks.2.5V
Szczytowy prąd udarowy niepowtarz. Itsm 50Hz30A
Maksymalny prąd podtrzymania15mA
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.110°C
Napięcie szczytowe w trybie „On”2V
Do montażu na tyrystorzePrzewlekany
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)
Specyfikacja
The 2N6075BG is a sensitive gate TRIAC designed primarily for full‐wave AC control applications or wherever full‐wave silicon gate controlled solid‐state device is needed. This silicon bidirectional thyristor switches from a blocking to a conducting state for either polarity of applied anode voltage with positive or negative gate triggering. The sensitive gate triggering uniquely compatible for direct coupling to TTL, HTL, CMOS and operational amplifier integrated circuit logic functions.
- 4 Mode gate triggering
- Blocking voltage to 600V
- All diffused and glass passivated junctions for greater parameter uniformity and stability
- Small, rugged, thermopad construction for low thermal resistance, high heat dissipation & durability
Specyfikacje techniczne
Szczytowe napięcie w stanie Off powtarz. Vdrm
600V
Rodzaj obudowy triaka
TO-225
Szczytowy prąd udarowy niepowtarz. Itsm 50Hz
30A
Liczba pinów
3Pins
Napięcie szczytowe w trybie „On”
2V
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2020)
Prąd RMS w stanie włączenia IT(rms)
4A
Napięcie przełączające bramki Vgt, maks.
2.5V
Maksymalny prąd podtrzymania
15mA
Temperatura robocza, maks.
110°C
Do montażu na tyrystorze
Przewlekany
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2020)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000726
Śledzenie produktu