Drukuj stronę
IXFN230N20T
Tranzystor MOSFET, Kanał typu N, 220 A, 200 V, 0.0075 ohm, 10 V, 5 V
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 134,700 zł |
| 5+ | 127,700 zł |
| 10+ | 120,690 zł |
| 50+ | 113,690 zł |
| 100+ | 106,680 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
134,70 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentLITTELFUSE
Nr części producentaIXFN230N20T
Nr katalogowy Farnell3930243
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd ciągły Id drenu220A
Napięcie drenu / źródła Vds200V
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.0075ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0075ohm
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs5V
Rozproszenie mocy1.09kW
Rozpraszanie mocy Pd1.09kW
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCTo Be Advised
Specyfikacja
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in synchronous rectification, DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- GigaMOS™ power MOSFET
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- Low RDS(on)
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
220A
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.0075ohm
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
1.09kW
Temperatura robocza, maks.
175°C
Substancje SVHC
To Be Advised
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Napięcie drenu / źródła Vds
200V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0075ohm
Napięcie progowe Vgs
5V
Rozpraszanie mocy Pd
1.09kW
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu