Drukuj stronę
IXFN38N100P
Tranzystor MOSFET, Kanał typu N, 38 A, 1 kV, 0.21 ohm, 10 V, 6.5 V
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 40 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 174,200 zł |
| 5+ | 160,740 zł |
| 10+ | 147,280 zł |
| 50+ | 133,820 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
174,20 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentLITTELFUSE
Nr części producentaIXFN38N100P
Nr katalogowy Farnell3930411
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraKanał N
Typ kanałuKanał typu N
Prąd ciągły Id drenu38A
Napięcie drenu / źródła Vds1kV
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.21ohm
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.21ohm
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs6.5V
Rozproszenie mocy1kW
Rozpraszanie mocy Pd1kW
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCTo Be Advised
Specyfikacja
N-channel enhancement mode fast intrinsic rectifier suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC motor control, high speed power switching application.
- Polar™ HiperFET™ power MOSFET
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low package inductance
- Low RDS(on) and QG
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły Id drenu
38A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.21ohm
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
1kW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Substancje SVHC
To Be Advised
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds
1kV
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.21ohm
Napięcie progowe Vgs
6.5V
Rozpraszanie mocy Pd
1kW
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu