Drukuj stronę
IXGN200N170
moduł IGBT, pojedyncze, 280 A, 2.1 V, 1.25 kW, 150 °C, SOT-227B
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
127 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 323,800 zł |
| 5+ | 280,670 zł |
| 10+ | 237,540 zł |
| 50+ | 224,590 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
323,80 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentLITTELFUSE
Nr części producentaIXGN200N170
Nr katalogowy Farnell3930412
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpojedyncze
Prąd ciągły kolektora280A
Prąd kolektora DC280A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2.1V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)2.1V
Rozproszenie mocy1.25kW
Rozpraszanie mocy Pd1.25kW
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-227B
Zakończenie IGBTzatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter1.7kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.7kV
Technologia IGBT-
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCTo Be Advised
Specyfikacja
High voltage IGBT suitable for use in power inverters, UPS, motor drives, SMPS, PFC circuits and welding machines.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Isolation voltage 2500V
- High current handling capability
- High power density
- Low gate drive requirement
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
pojedyncze
Prąd kolektora DC
280A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
2.1V
Rozpraszanie mocy Pd
1.25kW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
zatrzask
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.7kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
To Be Advised
Prąd ciągły kolektora
280A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.1V
Rozproszenie mocy
1.25kW
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-227B
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.7kV
Technologia IGBT
-
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu