Drukuj stronę
MT41K256M8DA-107:K
DRAM, DDR3L, 2 Gbit, 256M x 8bit, 933 MHz, FBGA, 78 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 451 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 13,500 zł |
| 10+ | 11,860 zł |
| 25+ | 11,440 zł |
| 50+ | 11,060 zł |
| 100+ | 10,630 zł |
| 250+ | 10,470 zł |
| 500+ | 10,250 zł |
| 1000+ | 10,000 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
13,50 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT41K256M8DA-107:K
Nr katalogowy Farnell3530736
Karta katalogowa
Rodzaj DRAMDDR3L
Gęstość pamięci2Gbit
Konfiguracja pamięci256M x 8bit
Maks. częstotliwość zegara933MHz
Obudowa układu ICFBGA
Liczba pinów78Pins
Napięcie zasilania, znamionowe1.5V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.0°C
Temperatura robocza, maks.95°C
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
- DDR3L SDRAM
- 256 Meg (32) x 8 x 8 banks configuration, tCK = 1.071ns, CL = 13 speed grade
- 8K refresh count, 32KA[14:0] row address, 8BA[2:0] bank address, 1KA[9:0] column address
- VDD = VDDQ = 1.35V (1.283 to 1.45V)
- Backward-compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- Differential bidirectional data strobe, 8n-bit prefetch architecture
- Differential clock inputs (CK, CK#), 8 internal banks
- Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
- Programmable CAS (READ) latency, programmable posted CAS additive latency
- 78-ball FBGA package, commercial temperature range from 0 to +95°C
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Rodzaj DRAM
DDR3L
Konfiguracja pamięci
256M x 8bit
Obudowa układu IC
FBGA
Napięcie zasilania, znamionowe
1.5V
Temperatura robocza, min.
0°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Gęstość pamięci
2Gbit
Maks. częstotliwość zegara
933MHz
Liczba pinów
78Pins
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
95°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Singapore
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Singapore
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00188