Drukuj stronę
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMICRON
Nr części producentaMT53E256M32D2DS-046 AIT:B
Nr katalogowy Farnell3530741
Karta katalogowa
2 508 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 68,240 zł |
| 10+ | 63,260 zł |
| 25+ | 60,260 zł |
| 50+ | 54,060 zł |
| 100+ | 53,300 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
68,24 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT53E256M32D2DS-046 AIT:B
Nr katalogowy Farnell3530741
Karta katalogowa
Rodzaj DRAMMobile LPDDR4
Gęstość pamięci8Gbit
Konfiguracja pamięci256M x 32bit
Maks. częstotliwość zegara2.133GHz
Obudowa układu ICWFBGA
Liczba pinów200Pins
Napięcie zasilania, znamionowe1.1V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.95°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
- Automotive LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
- 256 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 2 die addressing
- 468ps, tCK RL = 36/40 cycle time
- Frequency range from 2133 to 10MHz (data rate range from 4266 to 20Mb/s/pin)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- 200-ball WFBGA package, operating temperature range from -40°C to +95°C
Specyfikacje techniczne
Rodzaj DRAM
Mobile LPDDR4
Konfiguracja pamięci
256M x 32bit
Obudowa układu IC
WFBGA
Napięcie zasilania, znamionowe
1.1V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Gęstość pamięci
8Gbit
Maks. częstotliwość zegara
2.133GHz
Liczba pinów
200Pins
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
95°C
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Singapore
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Singapore
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000907
Śledzenie produktu