Drukuj stronę
MPIM450M112TG5
moduł IGBT, półmostek, 450 A, 1.65 V, 2.8 kW, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMULTICOMP PRO
Nr części producentaMPIM450M112TG5
Nr katalogowy Farnell3579385
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 12 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 712,970 zł |
| 2+ | 630,680 zł |
| 3+ | 599,370 zł |
| 5+ | 585,650 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
712,97 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMULTICOMP PRO
Nr części producentaMPIM450M112TG5
Nr katalogowy Farnell3579385
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny kanał N
Konfiguracja IGBTpółmostek
Prąd kolektora DC450A
Prąd ciągły kolektora450A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.65V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.65V
Rozproszenie mocy2.8kW
Rozpraszanie mocy Pd2.8kW
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Liczba pinów11Pins
Zakończenie IGBTlutowana
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 5 [Trench]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCTo Be Advised
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny kanał N
Prąd kolektora DC
450A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.65V
Rozproszenie mocy
2.8kW
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Temperatura robocza, maks.
150°C
Liczba pinów
11Pins
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
To Be Advised
Konfiguracja IGBT
półmostek
Prąd ciągły kolektora
450A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.65V
Rozpraszanie mocy Pd
2.8kW
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Zakończenie IGBT
lutowana
Technologia IGBT
IGBT 5 [Trench]
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Great Britain
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Great Britain
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):1.7