Drukuj stronę
LQH2HPN100MJRL
Cewka mocy (SMD), 10 µH, 830 mA, Częściowo osłonięte, 830 mA, LQH2HPN_JR Series
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMURATA
Nr części producentaLQH2HPN100MJRL
Nr katalogowy Farnell3471270RL
Asortyment produktówLQH2HPN_JR Series
Karta katalogowa
Informacje o produkcie
ProducentMURATA
Nr części producentaLQH2HPN100MJRL
Nr katalogowy Farnell3471270RL
Asortyment produktówLQH2HPN_JR Series
Karta katalogowa
Indukcyjność10µH
Prąd RMS (Irms)830mA
Budowa cewki indukcyjnejCzęściowo osłonięte
Prąd nasycenia (Isat)830mA
Asortyment produktówLQH2HPN_JR Series
Obudowa cewki1008 [jednostki metryczne 2520]
Obudowa cewki indukcyjnej mocy2.5mm x 2mm x 1.1mm
Rezystancja DC, maks.0.456ohm
Tolerancja indukcyjności± 20%
Długość2.5mm
Szerokość2mm
Wysokość1.1mm
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze LQH2HPN100MJRL
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacje techniczne
Indukcyjność
10µH
Budowa cewki indukcyjnej
Częściowo osłonięte
Asortyment produktów
LQH2HPN_JR Series
Obudowa cewki indukcyjnej mocy
2.5mm x 2mm x 1.1mm
Tolerancja indukcyjności
± 20%
Szerokość
2mm
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Prąd RMS (Irms)
830mA
Prąd nasycenia (Isat)
830mA
Obudowa cewki
1008 [jednostki metryczne 2520]
Rezystancja DC, maks.
0.456ohm
Długość
2.5mm
Wysokość
1.1mm
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85045000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001
Śledzenie produktu