Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBC807-16QBZ
Nr katalogowy Farnell3748622RL
Asortyment produktówBC807QB Series
Karta katalogowa
Rodzaje opakowania
5 407 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,360 zł |
| 1000+ | 0,300 zł |
| 5000+ | 0,130 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
180,00 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBC807-16QBZ
Nr katalogowy Farnell3748622RL
Asortyment produktówBC807QB Series
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo45V
Maks. napięcie kolektor-emiter45V
Prąd ciągły kolektora500mA
Prąd kolektora DC500mA
Rozpraszanie mocy Pd460mW
Rozproszenie mocy460mW
Rodzaj obudowy tranzystoraDFN1110D
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft80MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE100hFE
Wzmocnienie prądu DC hFE100hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówBC807QB Series
KwalifikacjaAEC-Q101
Kwalifikacja motoryzacyjnaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter
45V
Prąd kolektora DC
500mA
Rozproszenie mocy
460mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
80MHz
Wzmocnienie prądu DC hFE
100hFE
Asortyment produktów
BC807QB Series
Kwalifikacja motoryzacyjna
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
45V
Prąd ciągły kolektora
500mA
Rozpraszanie mocy Pd
460mW
Rodzaj obudowy tranzystora
DFN1110D
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
100hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000033
Śledzenie produktu