Drukuj stronę
BC846BPN,115
Sieć tranzystorów bipolarnych, NPN, PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
6 830 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,960 zł |
| 50+ | 0,580 zł |
| 100+ | 0,370 zł |
| 500+ | 0,230 zł |
| 1500+ | 0,190 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
4,80 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBC846BPN,115
Nr katalogowy Farnell2069525
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN65V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP65V
Prąd ciągły kolektora, NPN100mA
Prąd ciągły kolektora, PNP100mA
Rozproszenie mocy, NPN200mW
Rozproszenie mocy, PNP200mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN200hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP200hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN100MHz
Częstotliwość przejścia, PNP100MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
BC846BPN jest układem tranzystora uniwersalnego NPN-PNP 100mA w bardzo małej obudowie do montażu powierzchniowego. Jest odpowiedni do przełączania i wzmacniania typu ogólnego.
- Mała pojemność kolektora
- Niskie napięcie nasycenia kolektor-emiter
- Wzmocnienie prądowe z precyzyjnym dopasowaniem
- Redukuje ilość komponentów oraz powierzchnię płytki.
- Bez wzajemnych zakłóceń pomiędzy tranzystorami
- Kwalifikacja AEC-Q101
- Uzupełnieniem NPN-NPN jest BC846BS
- Uzupełnieniem PNP-PNP jest BC856BS
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
65V
Prąd ciągły kolektora, PNP
100mA
Rozproszenie mocy, PNP
200mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
200hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
100MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
65V
Prąd ciągły kolektora, NPN
100mA
Rozproszenie mocy, NPN
200mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
200hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
100MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000045
Śledzenie produktu