Drukuj stronę
BC846S,115
Sieć tranzystorów bipolarnych, Podwójny NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
4 030 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,670 zł |
| 50+ | 0,380 zł |
| 100+ | 0,220 zł |
| 500+ | 0,190 zł |
| 1500+ | 0,170 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
3,35 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBC846S,115
Nr katalogowy Farnell2069528
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN65V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora, NPN100mA
Prąd ciągły kolektora, PNP-
Rozproszenie mocy, NPN200mW
Rozproszenie mocy, PNP-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN110hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP-
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN100MHz
Częstotliwość przejścia, PNP-
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The BC846S is a dual NPN General Purpose Transistor in a plastic package. It is suitable for use with general purpose switching and small signal amplification.
- Reduces number of components and board space
- No mutual interference between the transistors
- 4Ft Marking code
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Prąd ciągły kolektora, PNP
-
Rozproszenie mocy, PNP
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
-
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
65V
Prąd ciągły kolektora, NPN
100mA
Rozproszenie mocy, NPN
200mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
110hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
100MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu