Drukuj stronę
BC847BS,115
Układ tranzystora bipolarnego, NPN, 45V, 100mA, 250mW, 200hFE
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
71 949 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,230 zł |
| 1500+ | 0,160 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
135,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBC847BS,115
Nr katalogowy Farnell1081234RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN45V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora, NPN100mA
Prąd ciągły kolektora, PNP-
Rozproszenie mocy, NPN250mW
Rozproszenie mocy, PNP-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN200hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP-
Rodzaj obudowy tranzystoraSC-88
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN100MHz
Częstotliwość przejścia, PNP-
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
BC847BS firmy NXP jest tranzystorem PNP/PNP ogólnego zastosowania, w obudowie SOT-363 (SC-88). Tranzystor charakteryzuje się małą pojemnością kolektora, niskim napięciem nasycenia kolektor-emiter, a także ze wzmocnieniem prądowym o ścisłym dopasowaniu. Redukuje ilość komponentów oraz powierzchnię płytki. Nie ma zakłóceń wzajemnych pomiędzy tranzystorami. Odpowiedni do uniwersalnego przełączania oraz wzmacniania.
- Napięcie kolektor-emiter: 45V
- Prąd kolektora (lc): 100mA
- Wzmocnienie prądowe: 200 przy VCE 5V
- Strata mocy (Pd): 250mW na tranzystor
- Zakres temperatury roboczej od -65°C do 150°C
- Napięcie nasycenia kolektor-emiter: 300mV przy 100mA prądu kolektora
- Częstotliwość przejścia: 100MHz
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Prąd ciągły kolektora, PNP
-
Rozproszenie mocy, PNP
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
-
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
45V
Prąd ciągły kolektora, NPN
100mA
Rozproszenie mocy, NPN
250mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
200hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SC-88
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
100MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (4)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Niger
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Niger
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.016148
Śledzenie produktu