Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
7 435 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
5+ | 1,810 zł |
50+ | 1,100 zł |
250+ | 0,510 zł |
1000+ | 0,410 zł |
2000+ | 0,410 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
9,05 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBC847BV,115
Nr katalogowy Farnell8734747
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN45V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-V
Prąd ciągły kolektora, NPN100mA
Prąd ciągły kolektora, PNP-A
Rozproszenie mocy, NPN250mW
Rozproszenie mocy, PNP-W
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN200hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP-hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-666
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN100MHz
Częstotliwość przejścia, PNP-MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The BC847BV is a double NPN Bipolar Transistor Array in a plastic package suitable for general-purpose switching and amplification applications.
- Excellent coplanarity due to straight leads
- Low collector capacitance
- Improved thermal behaviour due to flat leads
- Reduces required board space
- Reduces number of components as replacement of two SC-75/SC-89 packaged BISS transistors
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-V
Prąd ciągły kolektora, PNP
-A
Rozproszenie mocy, PNP
-W
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
-hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
45V
Prąd ciągły kolektora, NPN
100mA
Rozproszenie mocy, NPN
250mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
200hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-666
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
100MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (4)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000003
Śledzenie produktu