Drukuj stronę
BC856BS,115
Sieć tranzystorów bipolarnych, Podwójny PNP, 65 V, 100 mA
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
7 308 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,840 zł |
| 50+ | 0,400 zł |
| 100+ | 0,280 zł |
| 500+ | 0,230 zł |
| 1500+ | 0,160 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
4,20 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBC856BS,115
Nr katalogowy Farnell2069530
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN-
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP65V
Prąd ciągły kolektora, NPN-
Prąd ciągły kolektora, PNP100mA
Rozproszenie mocy, NPN-
Rozproszenie mocy, PNP200mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP200hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN-
Częstotliwość przejścia, PNP100MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The BC856BS is a 100mA PNP-PNP General Purpose Transistor Pair in a very small surface-mount plastic package. It is suitable for use with general purpose switching and amplification.
- Low collector capacitance
- Low collector-emitter saturation voltage
- Closely matched current gain
- Reduces number of components and board space
- No mutual interference between the transistors
- BC846BS NPN-NPN complement
- BC846BPN NPN-PNP complement
- AEC-Q101 qualified
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
65V
Prąd ciągły kolektora, PNP
100mA
Rozproszenie mocy, PNP
200mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
200hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
100MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
-
Prąd ciągły kolektora, NPN
-
Rozproszenie mocy, NPN
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
-
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
-
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000221
Śledzenie produktu