Drukuj stronę
BC857BS,115
Sieć tranzystorów bipolarnych, uniwersalny, Podwójny PNP, 45 V, 100 mA
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
63 443 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,960 zł |
| 50+ | 0,510 zł |
| 100+ | 0,330 zł |
| 500+ | 0,230 zł |
| 1500+ | 0,190 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
4,80 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBC857BS,115
Nr katalogowy Farnell1081247
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN-
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP45V
Prąd ciągły kolektora, NPN-
Prąd ciągły kolektora, PNP100mA
Rozproszenie mocy, NPN-
Rozproszenie mocy, PNP200mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP200hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSC-88
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN-
Częstotliwość przejścia, PNP100MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
BC857BS to podwójny tranzystor PNP o niskiej pojemności kolektora, niskim napięciem nasycenia kolektor-emiter, a także precyzyjnie określonym wzmocnieniem prądowym. Odpowiedni do uniwersalnego przełączania oraz wzmacniania.
- Redukuje ilość komponentów oraz powierzchnię płytki.
- Bez wzajemnych zakłóceń pomiędzy tranzystorami
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt przyczyniło się do wydłużenia czasu realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
45V
Prąd ciągły kolektora, PNP
100mA
Rozproszenie mocy, PNP
200mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
200hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
100MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
-
Prąd ciągły kolektora, NPN
-
Rozproszenie mocy, NPN
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
-
Rodzaj obudowy tranzystora
SC-88
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
-
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (4)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Niger
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Niger
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000006