Drukuj stronę
BCM847BS,115
Sieć tranzystorów bipolarnych, Podwójny NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 999 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,970 zł |
| 50+ | 1,010 zł |
| 100+ | 0,660 zł |
| 500+ | 0,540 zł |
| 1500+ | 0,500 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
9,85 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBCM847BS,115
Nr katalogowy Farnell1757902
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN45V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-V
Prąd ciągły kolektora, NPN100mA
Prąd ciągły kolektora, PNP-A
Rozproszenie mocy, NPN300mW
Rozproszenie mocy, PNP-W
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN290hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP-hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN250MHz
Częstotliwość przejścia, PNP-MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The BCM847BS,115 is a dual NPN Bipolar Transistor Array in a small surface-mount plastic package. The transistor is fully isolated internally and suitable for current mirror and differential amplifier.
- Current gain matching
- Base-emitter voltage matching
- Drop-in replacement for standard double transistors
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-V
Prąd ciągły kolektora, PNP
-A
Rozproszenie mocy, PNP
-W
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
-hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
45V
Prąd ciągły kolektora, NPN
100mA
Rozproszenie mocy, NPN
300mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
290hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
250MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000006
Śledzenie produktu