Drukuj stronę
BCM856BS,115
Sieć tranzystorów bipolarnych, Podwójny PNP, 65 V, 100 mA
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 289 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,970 zł |
| 50+ | 1,220 zł |
| 100+ | 0,770 zł |
| 500+ | 0,580 zł |
| 1500+ | 0,500 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
9,85 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBCM856BS,115
Nr katalogowy Farnell1829187
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN-
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP65V
Prąd ciągły kolektora, NPN-
Prąd ciągły kolektora, PNP100mA
Rozproszenie mocy, NPN-
Rozproszenie mocy, PNP300mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP290hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN-
Częstotliwość przejścia, PNP175MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
BCM856BS jest podwójnym układem tranzystora bipolarnego dopasowanym do konfiguracji PNP. Jest umieszczony w małej obudowie plastikowej do montażu powierzchniowego. Tranzystor jest w pełni izolowany wewnętrznie. Jest odpowiedni do układów typu lustro prądowe i wzmacniacz różnicowy.
- Dopasowanie wzmocnienia prądowego
- Dopasowanie napięcia podstawa-emiter
- Zamiennik typu drop-in dla standardowych tranzystorów podwójnych
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
65V
Prąd ciągły kolektora, PNP
100mA
Rozproszenie mocy, PNP
300mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
290hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
175MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
-
Prąd ciągły kolektora, NPN
-
Rozproszenie mocy, NPN
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
-
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
-
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000005
Śledzenie produktu