Drukuj stronę
BSH203,215
MOSFET mocy, Kanał typu P, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
122 800 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,490 zł |
| 10+ | 0,590 zł |
| 100+ | 0,490 zł |
| 500+ | 0,460 zł |
| 1000+ | 0,420 zł |
| 5000+ | 0,310 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 5
Wiele: 5
7,45 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBSH203,215
Nr katalogowy Farnell1972669
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds30V
Prąd ciągły Id drenu470mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.9ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs680mV
Rozproszenie mocy417mW
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The BSH203 is a P-channel enhancement-mode Power MOS Transistor housed subminiature surface-mount package. The device has low threshold voltage and extremely fast switching making it ideal for battery powered applications and high speed digital interfacing.
- Low threshold voltage
- Fast switching
- Logic level compatible
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
470mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
417mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
30V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.9ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
680mV
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008