Drukuj stronę
BSP41,115
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 60 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
5 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 3,190 zł |
| 10+ | 1,980 zł |
| 50+ | 1,630 zł |
| 200+ | 1,280 zł |
| 500+ | 0,980 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
3,19 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBSP41,115
Nr katalogowy Farnell1757922
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter60V
Prąd ciągły kolektora1A
Rozproszenie mocy1.3W
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-223
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów4Pins
Częstotliwość przejścia ft100MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE100hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
BSP41,115 jest tranzystorem NPN średniej mocy w plastikowej obudowie. Jest odpowiedni do użytku w telefonii, w uniwersalnych aplikacjach przemysłowych, w obwodach grubo- i cienkowarstwowych.
- Wysoka wartość prądowa
- Niskie napięcie
- Uzupełnieniem PNP są BSP31, BSP32 i BSP33
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
1A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-223
Liczba pinów
4Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
100hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
60V
Rozproszenie mocy
1.3W
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
100MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001134
Śledzenie produktu