Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPBSS306NX,115
Nr katalogowy Farnell1757953RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter100V
Prąd ciągły kolektora4.5A
Rozproszenie mocy600mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-89
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft110MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE40hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacja
The PBSS306NX,115 is a 4.5A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a small and flat lead surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
- PNP complement is PBSS306PX
- 5G Marking code
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
4.5A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-89
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
40hFE
Asortyment produktów
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
100V
Rozproszenie mocy
600mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
110MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (4)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000171