Drukuj stronę
PBSS4041NX,115
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 60 V, 6.2 A, 600 mW, SOT-89, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 54 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 50+ | 3,000 zł |
| 200+ | 2,370 zł |
| 500+ | 2,330 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
320,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPBSS4041NX,115
Nr katalogowy Farnell1829357RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter60V
Prąd ciągły kolektora6.2A
Rozproszenie mocy600mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-89
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft130MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE500hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
The PBSS4041NX is a 6.2A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. It offers die pad for good heat transfer.
- Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High energy efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
- AEC-Q101 qualified
- PNP complement is PBSS4041PX
- %6F Marking code
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
6.2A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-89
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
500hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
60V
Rozproszenie mocy
600mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
130MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000116