Drukuj stronę
PBSS4140DPN,115
Sieć tranzystorów bipolarnych, uniwersalny, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 370 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
4 320 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 0,540 zł |
| 500+ | 0,460 zł |
| 1500+ | 0,380 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
74,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPBSS4140DPN,115
Nr katalogowy Farnell8739900RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN40V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP40V
Prąd ciągły kolektora, NPN1A
Prąd ciągły kolektora, PNP1A
Rozproszenie mocy, NPN370mW
Rozproszenie mocy, PNP370mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN300hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP300hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-457
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN150MHz
Częstotliwość przejścia, PNP150MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The PBSS4140DPN is a NPN-PNP low VCEsat Bipolar Transistor Array in a plastic package replaces two SOT23 packaged low VCEsat transistors on same PCB area. It is suitable for use in general purpose switching and muting, LCD backlighting, supply line switching circuits, battery driven equipment in mobile phones, video cameras and hand-held devices.
- Low collector-emitter saturation voltage
- High current capability
- Improved device reliability due to reduced heat generation
- Reduces required PCB area
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
40V
Prąd ciągły kolektora, PNP
1A
Rozproszenie mocy, PNP
370mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
300hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
150MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
40V
Prąd ciągły kolektora, NPN
1A
Rozproszenie mocy, NPN
370mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
300hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-457
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
150MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (3)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00007
Śledzenie produktu