Drukuj stronę
PBSS4160PANPSX
Sieć tranzystorów bipolarnych, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 510 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPBSS4160PANPSX
Nr katalogowy Farnell2628096RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN60V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP60V
Prąd ciągły kolektora, NPN1A
Prąd ciągły kolektora, PNP1A
Rozproszenie mocy, NPN510mW
Rozproszenie mocy, PNP510mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN70hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP70hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-1118
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN175MHz
Częstotliwość przejścia, PNP125MHz
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
60V
Prąd ciągły kolektora, PNP
1A
Rozproszenie mocy, PNP
510mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
70hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
125MHz
Kwalifikacja
AEC-Q101
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
60V
Prąd ciągły kolektora, NPN
1A
Rozproszenie mocy, NPN
510mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
70hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-1118
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
175MHz
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000025
Śledzenie produktu