Drukuj stronę
PBSS4350Z,135
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 50 V, 3 A, 1.35 W, SOT-223, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 10 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,270 zł |
| 50+ | 0,860 zł |
| 250+ | 0,520 zł |
| 1000+ | 0,460 zł |
| 2000+ | 0,450 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
6,35 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPBSS4350Z,135
Nr katalogowy Farnell8736340
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter50V
Prąd ciągły kolektora3A
Rozproszenie mocy1.35W
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-223
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów4Pins
Częstotliwość przejścia ft-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE200hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The PBSS4350Z is a NPN low VCEsat Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
- Low collector-emitter saturation voltage
- High collector current capabilities of IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- Higher efficiency leading to less heat generation
- Reduced PCB area requirements compared to DPAK
- PNP complement is PBSS5350Z
- PB4350 Marking code
Uwagi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
3A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-223
Liczba pinów
4Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
200hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
50V
Rozproszenie mocy
1.35W
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
-
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000126
Śledzenie produktu