Drukuj stronę
PHPT610030NKX
Sieć tranzystorów bipolarnych, Podwójny NPN, 100 V, 3 A, 1.25 W
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 618 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 4,600 zł |
| 10+ | 2,830 zł |
| 100+ | 1,660 zł |
| 500+ | 1,330 zł |
| 1000+ | 1,320 zł |
| 5000+ | 1,040 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
4,60 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPHPT610030NKX
Nr katalogowy Farnell2498608
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN100V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora, NPN3A
Prąd ciągły kolektora, PNP-
Rozproszenie mocy, NPN1.25W
Rozproszenie mocy, PNP-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN10hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP-
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-1205
Liczba pinów8Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.175°C
Częstotliwość przejścia, NPN140MHz
Częstotliwość przejścia, PNP-
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Te tranzystory bipolarne wysokiej mocy, w obudowach LFPAK56 (Power-S08/SOT669), dostarczają wydajność termiczną i elektryczną podobną do DPADK, z wykorzystaniem tylko połowy potrzebnego wymiaru. Oferują niezawodną i energooszczędną wydajność, mają kwalifikację AEC-Q101 oraz wspierają działanie wysokotemperaturowe (175°C).
- Rozproszenie dużej wartości mocy (Ptot)
- Odpowiedni do wysokich temperatur (175°C)
- Obudowa 5 x 6mm oszczędzająca miejsce - zajmuje połowę miejsca odpowiadających tranzystorów w obudowach DPAK, SOT223 i innych
- Niski profil (1mm)
- Duża niezawodność i solidność mechaniczna dzięki zaciskowi miedzianemu (bez przewodów)
- Wysoka wydajność energii dzięki generowaniu mniejszego ciepła
- Kwalifikacja AEC-Q101
- Rozwijające się i przyszłościowe portfolio
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Prąd ciągły kolektora, PNP
-
Rozproszenie mocy, PNP
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
-
Liczba pinów
8Pins
Temperatura robocza, maks.
175°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
100V
Prąd ciągły kolektora, NPN
3A
Rozproszenie mocy, NPN
1.25W
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
10hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-1205
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
140MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00003
Śledzenie produktu