Drukuj stronę
PMCPB5530X,115
Podwójny MOSFET, Komplementarny kanał N i P, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.026 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
3 195 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,730 zł |
| 10+ | 1,200 zł |
| 100+ | 0,900 zł |
| 500+ | 0,650 zł |
| 1000+ | 0,640 zł |
| 5000+ | 0,580 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 5
Wiele: 5
8,65 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPMCPB5530X,115
Nr katalogowy Farnell2311188
Karta katalogowa
Typ kanałuKomplementarny kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N20V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N5.3A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P5.3A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.026ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.026ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-1118
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N1.17W
Rozproszenie mocy, kanał typu P1.17W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The PMCPB5530X is a N/P-channel complementary enhancement-mode FET in a small and leadless ultra thin surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for DC-to-DC converters and small brushless DC motor drive applications.
- Very fast switching characteristics
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Komplementarny kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
5.3A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.026ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
1.17W
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
5.3A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.026ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-1118
Rozproszenie mocy, kanał typu N
1.17W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000007
Śledzenie produktu