Drukuj stronę
PMP4501QASZ
Sieć tranzystorów bipolarnych, Podwójny NPN, 45 V, 100 mA, 350 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
3 709 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 0,530 zł |
| 500+ | 0,460 zł |
| 1000+ | 0,380 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
73,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPMP4501QASZ
Nr katalogowy Farnell3020991RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN45V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora, NPN100mA
Prąd ciągły kolektora, PNP-
Rozproszenie mocy, NPN350mW
Rozproszenie mocy, PNP-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN200hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP-
Rodzaj obudowy tranzystoraDFN1010B
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN100MHz
Częstotliwość przejścia, PNP-
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Prąd ciągły kolektora, PNP
-
Rozproszenie mocy, PNP
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
-
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
45V
Prąd ciągły kolektora, NPN
100mA
Rozproszenie mocy, NPN
350mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
200hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
DFN1010B
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
100MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000145
Śledzenie produktu