Drukuj stronę
PSMN0R9-25YLC,115
MOSFET mocy, Kanał typu N, 25 V, 100 A, 750 µohm, SOT-669, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
12 641 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 6,370 zł |
| 10+ | 5,650 zł |
| 100+ | 3,770 zł |
| 500+ | 3,170 zł |
| 1000+ | 3,170 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
6,37 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPSMN0R9-25YLC,115
Nr katalogowy Farnell1895396
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds25V
Prąd ciągły Id drenu100A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”750µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-669
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.41V
Rozproszenie mocy137W
Liczba pinów4Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The PSMN0R9-25YLC is a 25V logic level N-channel Enhancement Mode MOSFET using NextPower technology. Optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. This device is designed for power OR-ing, server power supplies and sync rectifier applications.
- Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
- Ultra low RDS (ON) and low parasitic inductance
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
100A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-669
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
137W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
25V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
750µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.41V
Liczba pinów
4Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze PSMN0R9-25YLC,115
Znaleziono 8 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000145
Śledzenie produktu