Drukuj stronę
AFT20S015GNR1
Tranzystor FET RF, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentNXP
Nr części producentaAFT20S015GNR1
Nr katalogowy Farnell2890592RL
Asortyment produktówAFT20S015GN
Karta katalogowa
201 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 10+ | 100,820 zł |
| 50+ | 92,710 zł |
| 100+ | 90,860 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 10
Wiele: 1
1 028,20 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNXP
Nr części producentaAFT20S015GNR1
Nr katalogowy Farnell2890592RL
Asortyment produktówAFT20S015GN
Karta katalogowa
Napięcie drenu / źródła Vds65V
Prąd ciągły Id drenu-
Rozproszenie mocy11W
Częstotliwość robocza, min.1.805GHz
Częstotliwość robocza, maks.2.7GHz
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-270G
Liczba pinów2Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Typ kanałuKanał typu N
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktówAFT20S015GN
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
Specyfikacje techniczne
Napięcie drenu / źródła Vds
65V
Rozproszenie mocy
11W
Częstotliwość robocza, maks.
2.7GHz
Liczba pinów
2Pins
Typ kanału
Kanał typu N
Asortyment produktów
AFT20S015GN
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Prąd ciągły Id drenu
-
Częstotliwość robocza, min.
1.805GHz
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-270G
Temperatura robocza, maks.
150°C
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0003
Śledzenie produktu