2N7000TA
MOSFET mocy, Kanał typu N, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, przewlekany
Potrzebujesz więcej?
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,560 zł |
| 10+ | 1,160 zł |
| 100+ | 0,600 zł |
| 500+ | 0,570 zł |
| 1000+ | 0,490 zł |
| 5000+ | 0,320 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
The 2N7000TA is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density and DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Fast switching
- Lower input capacitance
- Extended safe operating area
- Improved inductive ruggedness
- Improved high temperature reliability
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Kanał typu N
200mA
TO-226AA
10V
400mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
5ohm
przewlekany
3.9V
3Pins
-
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze 2N7000TA
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu