Drukuj stronę
2N7002W
MOSFET mocy, Kanał typu N, 78 V, 115 mA, 2.53 ohm, SOT-323, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
3 045 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,420 zł |
| 1500+ | 0,370 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
230,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producenta2N7002W
Nr katalogowy Farnell2453383RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds78V
Prąd ciągły Id drenu115mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”2.53ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-323
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.76V
Rozproszenie mocy200mW
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
2N7002W to N-kanałowy tranzystor FET z kanałem wzbogacanym. Ma niską rezystancję w trybie „on" oraz niskie napięcie progowe bramki.
- Niska pojemność wejściowa
- Duża prędkość przełączania
- Niski upływ wejścia/wyjścia
- Bardzo mała obudowa do montażu powierzchniowego
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
115mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-323
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
200mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
78V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
2.53ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.76V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze 2N7002W
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00003
Śledzenie produktu