Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaBC846BDW1T1G
Nr katalogowy Farnell2317636
Asortyment produktówBCxxx Series
Karta katalogowa
66 406 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
5+ | 0,840 zł |
50+ | 0,460 zł |
100+ | 0,310 zł |
500+ | 0,220 zł |
1500+ | 0,170 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
4,20 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaBC846BDW1T1G
Nr katalogowy Farnell2317636
Asortyment produktówBCxxx Series
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN65V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora, NPN100mA
Prąd ciągły kolektora, PNP-
Rozproszenie mocy, NPN380mW
Rozproszenie mocy, PNP-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN200hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP-
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN100MHz
Częstotliwość przejścia, PNP-
Asortyment produktówBCxxx Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
BC846BDW1T1G jest podwójnym tranzystorem NPN, opracowanym do wzmacniania uniwersalnego. Jest idealny do aplikacji małej mocy do montażu powierzchniowego.
- Kwalifikacja AEC-Q101
- Zdolność PPAP
- Bezhalogenowe
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Prąd ciągły kolektora, PNP
-
Rozproszenie mocy, PNP
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
-
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
65V
Prąd ciągły kolektora, NPN
100mA
Rozproszenie mocy, NPN
380mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
200hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
100MHz
Asortyment produktów
BCxxx Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze BC846BDW1T1G
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000006
Śledzenie produktu