Drukuj stronę
BCW68G..
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, PNP, 45 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaBCW68G..
Nr katalogowy Farnell1467892RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter45V
Prąd ciągły kolektora800mA
Rozproszenie mocy350mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft100MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE160hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze BCW68G..
Znaleziono 4 produktów
Specyfikacja
The BCW68G is a PNP Bipolar Transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications at currents to 500mA.
- Sourced from process 63
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
800mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
160hFE
Asortyment produktów
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
45V
Rozproszenie mocy
350mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
100MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.09