Drukuj stronę
BUB323ZT4G
Tranzystor Darlingtona, Darlingtona, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 224 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 13,250 zł |
| 10+ | 9,240 zł |
| 100+ | 6,790 zł |
| 500+ | 6,330 zł |
| 1000+ | 5,020 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
13,25 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaBUB323ZT4G
Nr katalogowy Farnell1653614
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo350V
Rozpraszanie mocy Pd150W
Prąd kolektora DC10A
Obudowa tranzystora RFTO-263 (D2PAK)
Liczba pinów3Pins
Wzmocnienie prądu DC hFE500hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The BUB323ZT4G is a NPN bipolar silicon power Darlington Transistor with a built-in active Zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped, inductive applications such as electronic ignition, switching regulators and motor control.
- Planar, monolithic
- Autoprotected
- Integrated high-voltage active clamp
- Tight clamping voltage window
- Clamping energy capability 100% tested in a live ignition circuit
- High DC current gain/low saturation voltages specified over full temperature range
- Design guarantees operation in SOA at all times
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Rozpraszanie mocy Pd
150W
Obudowa tranzystora RF
TO-263 (D2PAK)
Wzmocnienie prądu DC hFE
500hFE
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
350V
Prąd kolektora DC
10A
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001911
Śledzenie produktu