Drukuj stronę
BUV22G
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 250 V, 40 A, 250 W, TO-3, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaBUV22GKopia
Nr katalogowy Farnell1611322
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter250V
Prąd ciągły kolektora40A
Rozproszenie mocy250W
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-3
Montaż tranzystoraprzewlekany
Liczba pinów2Pins
Częstotliwość przejścia ft8MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE8hFE
Temperatura robocza, maks.200°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacja
The BUV22G is an NPN Silicon Power Transistor designed for high-speed, high-current and high-power applications.
- High DC current gain
- Very fast switching times
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
40A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-3
Liczba pinów
2Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
8hFE
Asortyment produktów
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
250V
Rozproszenie mocy
250W
Montaż tranzystora
przewlekany
Częstotliwość przejścia ft
8MHz
Temperatura robocza, maks.
200°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85331000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001