Drukuj stronę
FDD6530A
MOSFET mocy, Kanał typu N, 20 V, 21 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaFDD6530A
Nr katalogowy Farnell3003908
Asortyment produktówPowerTrench
Karta katalogowa
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaFDD6530A
Nr katalogowy Farnell3003908
Asortyment produktówPowerTrench
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu21A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.026ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs900mV
Rozproszenie mocy33W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówPowerTrench
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
21A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
33W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.026ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
900mV
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
PowerTrench
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Switzerland
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Switzerland
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0005
Śledzenie produktu