Drukuj stronę
FGB7N60UNDF
IGBT, 14 A, 1.9 V, 83 W, 600 V, TO-263AB (D2PAK), 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaFGB7N60UNDF
Nr katalogowy Farnell3615751
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora14A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.9V
Rozproszenie mocy83W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263AB (D2PAK)
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
14A
Rozproszenie mocy
83W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263AB (D2PAK)
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.9V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Nie
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Nie
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.1