Drukuj stronę
FOD3180SD
Transoptor, Wyjście sterownika bramki, 1 kanał, Powierzchniowe DIP, 8 piny/-ów, 5 kV
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
353 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 11,690 zł |
| 10+ | 8,440 zł |
| 25+ | 7,810 zł |
| 50+ | 7,220 zł |
| 100+ | 6,580 zł |
| 500+ | 5,740 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
11,69 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaFOD3180SD
Nr katalogowy Farnell1495317
Karta katalogowa
Liczba kanałów1 kanał
Rodzaj obudowy transoptoraPowierzchniowe DIP
Liczba pinów8Pins
Napięcie izolacji5kV
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The FOD3180SD is a 1-channel 8-pin high speed MOSFET Gate Driver Optocoupler consists of an aluminium gallium arsenide (AlGaAs) light emitting diode optically coupled to a CMOS detector with PMOS and NMOS output power transistors integrated circuit power stage. It is ideally suited for high frequency driving of power MOSFETs used in plasma display panels (PDPs), motor control inverter applications and high performance DC/DC converters.
- Under voltage lockout protection (UVLO) with hysteresis
- 2A Minimum peak output current
- 200ns Maximum propagation delay over temperature range
- 250kHz Maximum switching speed
- 30ns Typical pulse width distortion
- 7mm Minimum creepage distance
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Liczba kanałów
1 kanał
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Rodzaj obudowy transoptora
Powierzchniowe DIP
Napięcie izolacji
5kV
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000833
Śledzenie produktu