Drukuj stronę
FQP19N20C
MOSFET mocy, Kanał typu N, 200 V, 19 A, 0.17 ohm, TO-220, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaFQP19N20C
Nr katalogowy Farnell2453438
Asortyment produktówQFET Series
Karta katalogowa
1 782 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 5,570 zł |
| 10+ | 4,430 zł |
| 100+ | 3,720 zł |
| 500+ | 3,140 zł |
| 1000+ | 2,890 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
5,57 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaFQP19N20C
Nr katalogowy Farnell2453438
Asortyment produktówQFET Series
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds200V
Prąd ciągły Id drenu19A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.17ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-220
Montaż tranzystoraprzewlekany
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy139W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówQFET Series
Kwalifikacja-
Specyfikacja
The FQP19N20C is a 200V N-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (typical 40.5nC)
- Low Crss (typical 85pF)
- 100% avalanche tested
- ±30V gate to source voltage
- 62.5°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.9°C/W thermal resistance, junction to case
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
19A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-220
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
139W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
200V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.17ohm
Montaż tranzystora
przewlekany
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
QFET Series
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002815
Śledzenie produktu